剛剛得知Navitas推出了第五代SiC MOSFET技術,說實話,這裡的工程實力相當扎實。他們稱之為Trench-Assisted Planar (TAP),專為AI數據中心和電網基礎設施的需求打造。
以下是我特別注意到的點。新款1200V系列在RDS,ON × QGD的性能指標上,比上一代提升了35%。這種效率提升在高壓應用中非常重要,因為它能直接轉化為較低的開關損耗和更冷卻的運行狀態。他們還在QGD/QGS比率上實現了25%的改善,基本上代表著更快、更乾淨的切換,且抗噪聲能力更佳。
耐用性方面也很值得關注。他們規格中設定了高閾值電壓(VGS,TH ≥ 3V),用來防止寄生導通,並且整合了一個所謂的Soft Body-Diode,以在快速切換時最小化EMI。對於運行高頻率電力階段的應用來說,這解決了一個大痛點。
在可靠性方面,他們進行了嚴格的驗證測試,包括延長的HTRB測試(3倍時間)、動態反向偏壓測試,並聲稱在運行條件下,閘極氧化層的失效時間超過100萬年。這樣的規格表對於關鍵任務的基礎設施來說非常重要。
Navitas將這款產品定位為與其現有的超高壓2300V和3300V SiC系列互補,基本上已涵蓋整個電壓範圍。他們的GaN MOSFET產品線也與此平行運作,提供不同電力轉換場景的良好覆蓋。
值得一提的是,這些產品已獲得AEC-Plus認證,意味著它們的測試標準超越一般汽
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