Ngày 1 tháng 8, Hiệp hội dữ liệu Kim Mười thông báo, SK Hynix sẽ tăng tốc phát triển NAND flash thế hệ tiếp theo, dự kiến hoàn thành chuẩn bị sản xuất hàng loạt NAND 400+ tầng vào cuối năm 2025 và bắt đầu sản xuất quy mô lớn vào quý 2 năm 2026.
Xem bản gốc
Trang này có thể chứa nội dung của bên thứ ba, được cung cấp chỉ nhằm mục đích thông tin (không phải là tuyên bố/bảo đảm) và không được coi là sự chứng thực cho quan điểm của Gate hoặc là lời khuyên về tài chính hoặc chuyên môn. Xem Tuyên bố từ chối trách nhiệm để biết chi tiết.
Thông tin cho biết SK Hynix đang tăng tốc nghiên cứu và phát triển NAND, bộ nhớ flash 400+ tầng sẽ sẵn sàng sản xuất đại trà vào cuối năm sau.
Ngày 1 tháng 8, Hiệp hội dữ liệu Kim Mười thông báo, SK Hynix sẽ tăng tốc phát triển NAND flash thế hệ tiếp theo, dự kiến hoàn thành chuẩn bị sản xuất hàng loạt NAND 400+ tầng vào cuối năm 2025 và bắt đầu sản xuất quy mô lớn vào quý 2 năm 2026.