💥 Gate 廣場活動:#发帖赢代币TRUST 💥
在 Gate 廣場發布與 TRUST 或 CandyDrop 活動相關的原創內容,即有機會瓜分 13,333 枚 TRUST 獎勵!
📅 活動時間:2025年11月6日 – 11月16日 24:00(UTC+8)
📌 相關詳情:
CandyDrop 👉 https://www.gate.com/zh/announcements/article/47990
📌 參與方式:
1️⃣ 在 Gate 廣場發布原創內容,主題需與 TRUST 或 CandyDrop 活動相關;
2️⃣ 內容不少於 80 字;
3️⃣ 貼文添加話題: #发帖赢代币TRUST
4️⃣ 附上任意 CandyDrop 活動參與截圖。
🏆 獎勵設定(總獎池:13,333 TRUST)
🥇 一等獎(1名):3,833 TRUST / 人
🥈 二等獎(3名):1,500 TRUST / 人
🥉 三等獎(10名):500 TRUST / 人
📄 注意事項:
內容必須原創,禁止抄襲或灌水;
得獎者需完成 Gate 廣場身份認證;
活動最終解釋權歸 Gate 所有。
復旦團隊研發超快閃存集成工藝:20納秒超快編程、10年非易失
金十數據8月13日訊,復旦大學周鵬-劉春森團隊前期研究表明二維半導體結構能夠將其速度提升一千倍以上,實現顛覆性的納秒級超快存儲閃存技術。然而,如何實現規模集成、走向真正實際應用仍極具挑戰。同時,研究團隊研發了不依賴先進光刻設備的自對準工藝,結合原始創新的超快存儲疊層電場設計理論,成功實現了溝道長度為8納米的超快閃存器件,是當前國際最短溝道閃存器件,並突破了硅基閃存物理尺寸極限(約15納米)。在原子級薄層溝道支持下,這一超小尺寸器件具備20納秒超快編程、10年非易失、十萬次循環壽命和多態存儲性能。本工作將推動超快顛覆性閃存技術的產業化應用。