復旦團隊研發超快閃存集成工藝:20納秒超快編程、10年非易失

robot
摘要生成中

金十數據8月13日訊,復旦大學周鵬-劉春森團隊前期研究表明二維半導體結構能夠將其速度提升一千倍以上,實現顛覆性的納秒級超快存儲閃存技術。然而,如何實現規模集成、走向真正實際應用仍極具挑戰。同時,研究團隊研發了不依賴先進光刻設備的自對準工藝,結合原始創新的超快存儲疊層電場設計理論,成功實現了溝道長度為8納米的超快閃存器件,是當前國際最短溝道閃存器件,並突破了硅基閃存物理尺寸極限(約15納米)。在原子級薄層溝道支持下,這一超小尺寸器件具備20納秒超快編程、10年非易失、十萬次循環壽命和多態存儲性能。本工作將推動超快顛覆性閃存技術的產業化應用。

查看原文
此頁面可能包含第三方內容,僅供參考(非陳述或保證),不應被視為 Gate 認可其觀點表述,也不得被視為財務或專業建議。詳見聲明
  • 讚賞
  • 留言
  • 轉發
  • 分享
留言
0/400
暫無留言
交易,隨時隨地
qrCode
掃碼下載 Gate App
社群列表
繁體中文
  • 简体中文
  • English
  • Tiếng Việt
  • 繁體中文
  • Español
  • Русский
  • Français (Afrique)
  • Português (Portugal)
  • Bahasa Indonesia
  • 日本語
  • بالعربية
  • Українська
  • Português (Brasil)