Thông báo cho biết, Samsung sẽ ra mắt V-NAND thế hệ tiếp theo với 400+ tầng vào năm 2026.

Dữ liệu Kim Tứ 10 ngày 29 tháng 10, Samsung sẽ tung ra thế hệ V-NAND tiếp theo với hơn 400 tầng kết hợp vào năm 2026, DRAM 0a nm dự kiến sẽ sử dụng cấu trúc VCT vào năm 2027. Báo cáo cho biết thế hệ V-NAND thứ 10 (tức là thế hệ tiếp theo) của Samsung sẽ được đặt tên là BV (Bonding Vertical) NAND, điều này là do sản phẩm thế hệ này sẽ điều chỉnh cấu trúc NAND từ vi mạch ngoại vi CoP hiện tại sang vi mạch lưu trữ và vi mạch ngoại vi được sản xuất riêng rẽ sau đó kết nối theo chiều dọc.