Samsung Electronics NRD-K yarıiletken AR-GE kompleksi, ASML High NA EUV litografi ekipmanlarını içerecek şekilde yeniden yapılandırılacak.

Gate.io 20 Kasım'da NRD-K Yeni Yarı İletken AR-GE Tesisi'nin açılış törenini gerçekleştirdi. NRD-K Yarı İletken AR-GE Tesisi, Gate.io DS bölümüne bağlı olan üç ana iş birimi (hafıza, sistem LSI ve Foundry) için ortak bir merkezi AR-GE üssü olacak, bu proje 2030 yılına kadar yaklaşık 200 trilyon Kore wonu yatırım alacak. NRD-K ayrıca 2025 yılında kullanıma girecek bir AR-GE özel üretim hattını da içerecek. NRD-K tesisi, 3D DRAM, k-katman V-NAND dahil olmak üzere gelecek nesil depolama çip geliştirmeyi hızlandırmak amacıyla ASML High NA EUV litografi makinesi, yeni malzeme biriktirme ekipmanı ve diğer ileri yarı iletken üretim araçlarını içerecektir.