Исследовательский комплекс NRD-K по разработке полупроводников Samsung Electronics вводит в эксплуатацию литографическое оборудование ASML High NA EUV.
Данные Jinshi 20 ноября: Samsung Electronics провел церемонию ввода в эксплуатацию нового полупроводникового исследовательского комплекса NRD-K в парке NRD-K. Комплекс NRD-K станет общим центром исследований для трех основных бизнес-подразделений Samsung Electronics DS (память, системы LSI и Foundry), и к 2030 году в этот проект будет инвестировано около 20 триллионов вон. NRD-K также будет включать специализированную линию для исследований, которая будет запущена в середине 2025 года. Комплекс NRD-K будет вводить в эксплуатацию серию передовых инструментов для производства полупроводников, включая светочувствительную машину ASML High NA EUV и оборудование для нанесения новых материалов, с целью ускорения разработки следующих поколений чипов памяти, включая 3D DRAM и V-NAND k-слоя.
Посмотреть Оригинал
This page may contain third-party content, which is provided for information purposes only (not representations/warranties) and should not be considered as an endorsement of its views by Gate, nor as financial or professional advice. See Disclaimer for details.
Исследовательский комплекс NRD-K по разработке полупроводников Samsung Electronics вводит в эксплуатацию литографическое оборудование ASML High NA EUV.
Данные Jinshi 20 ноября: Samsung Electronics провел церемонию ввода в эксплуатацию нового полупроводникового исследовательского комплекса NRD-K в парке NRD-K. Комплекс NRD-K станет общим центром исследований для трех основных бизнес-подразделений Samsung Electronics DS (память, системы LSI и Foundry), и к 2030 году в этот проект будет инвестировано около 20 триллионов вон. NRD-K также будет включать специализированную линию для исследований, которая будет запущена в середине 2025 года. Комплекс NRD-K будет вводить в эксплуатацию серию передовых инструментов для производства полупроводников, включая светочувствительную машину ASML High NA EUV и оборудование для нанесения новых материалов, с целью ускорения разработки следующих поколений чипов памяти, включая 3D DRAM и V-NAND k-слоя.