El equipo de Fudan desarrolla un proceso de integración de memoria flash ultrarrápido: programación ultrarrápida de 20 nanosegundos, no volátil durante 10 años
Datos de Jinshi, 13 de agosto: El equipo de investigación de Zhou Peng-Liu Chunsen de la Universidad Fudan ha demostrado en una investigación preliminar que la estructura de semiconductores bidimensionales puede aumentar su velocidad en más de mil veces, logrando una tecnología de memoria flash ultrarrápida revolucionaria en nanosegundos. Sin embargo, todavía es muy desafiante lograr la integración a escala y avanzar hacia una aplicación práctica real. Al mismo tiempo, el equipo de investigación ha desarrollado un proceso de autoalineación que no depende de equipos de litografía avanzados, combinando la teoría de diseño de campo eléctrico de memoria flash ultrarrápida y originalmente innovadora, logrando con éxito dispositivos de memoria flash ultrarrápidos con una longitud de canal de 8 nanómetros, que son los dispositivos de memoria flash con canal más corto a nivel internacional en la actualidad, y superando el límite físico de tamaño de los dispositivos de memoria flash basados en silicio (aproximadamente 15 nanómetros). Con el soporte de capas delgadas a nivel atómico, este dispositivo de tamaño ultrapequeño tiene un tiempo de programación ultrarrápido de 20 nanosegundos, una vida útil no volátil de 10 años, una durabilidad de cien mil ciclos y un rendimiento de almacenamiento polimórfico. Este trabajo promoverá la aplicación industrial de la tecnología de memoria flash revolucionaria ultrarrápida.
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El equipo de Fudan desarrolla un proceso de integración de memoria flash ultrarrápido: programación ultrarrápida de 20 nanosegundos, no volátil durante 10 años
Datos de Jinshi, 13 de agosto: El equipo de investigación de Zhou Peng-Liu Chunsen de la Universidad Fudan ha demostrado en una investigación preliminar que la estructura de semiconductores bidimensionales puede aumentar su velocidad en más de mil veces, logrando una tecnología de memoria flash ultrarrápida revolucionaria en nanosegundos. Sin embargo, todavía es muy desafiante lograr la integración a escala y avanzar hacia una aplicación práctica real. Al mismo tiempo, el equipo de investigación ha desarrollado un proceso de autoalineación que no depende de equipos de litografía avanzados, combinando la teoría de diseño de campo eléctrico de memoria flash ultrarrápida y originalmente innovadora, logrando con éxito dispositivos de memoria flash ultrarrápidos con una longitud de canal de 8 nanómetros, que son los dispositivos de memoria flash con canal más corto a nivel internacional en la actualidad, y superando el límite físico de tamaño de los dispositivos de memoria flash basados en silicio (aproximadamente 15 nanómetros). Con el soporte de capas delgadas a nivel atómico, este dispositivo de tamaño ultrapequeño tiene un tiempo de programación ultrarrápido de 20 nanosegundos, una vida útil no volátil de 10 años, una durabilidad de cien mil ciclos y un rendimiento de almacenamiento polimórfico. Este trabajo promoverá la aplicación industrial de la tecnología de memoria flash revolucionaria ultrarrápida.