📢 Gate广场 #创作者活动第一期# 火热开启,助力 PUMP 公募上线!
Solana 爆火项目 Pump.Fun($PUMP)现已登陆 Gate 平台开启公开发售!
参与 Gate广场创作者活动,释放内容力量,赢取奖励!
📅 活动时间:7月11日 18:00 - 7月15日 22:00(UTC+8)
🎁 活动总奖池:$500 USDT 等值代币奖励
✅ 活动一:创作广场贴文,赢取优质内容奖励
📅 活动时间:2025年7月12日 22:00 - 7月15日 22:00(UTC+8)
📌 参与方式:在 Gate 广场发布与 PUMP 项目相关的原创贴文
内容不少于 100 字
必须带上话题标签: #创作者活动第一期# #PumpFun#
🏆 奖励设置:
一等奖(1名):$100
二等奖(2名):$50
三等奖(10名):$10
📋 评选维度:Gate平台相关性、内容质量、互动量(点赞+评论)等综合指标;参与认购的截图的截图、经验分享优先;
✅ 活动二:发推同步传播,赢传播力奖励
📌 参与方式:在 X(推特)上发布与 PUMP 项目相关内容
内容不少于 100 字
使用标签: #PumpFun # Gate
发布后填写登记表登记回链 👉 https://www.gate.com/questionnaire/6874
🏆 奖励设置:传播影响力前 10 名用户,瓜分 $2
三星电子NRD-K半导体研发综合体进机 将导入ASML High NA EUV光刻设备
金十数据11月20日讯,三星电子举行了位于器兴园区的NRD-K新半导体研发综合体的进机仪式。NRD-K半导体研发综合体将成为三星电子DS部下属三大事业部(存储器、系统LSI和Foundry)的共同核心研发基地,到2030年这一项目将累计获得约20万亿韩元的投资。NRD-K还将包含一条研发专用线,该产线将于2025年中投入使用。NRD-K综合体将导入ASML High NA EUV光刻机、新材料沉积设备在内的一系列最先进半导体生产工具,旨在加速3D DRAM、千层V-NAND在内的下代存储芯片开发。