Комплекс з розробки напівпровідників NRD-K компанії Samsung Electronics буде обладнаний пристроями ASML High NA EUV.

Дані Gold 11 листопада, Samsung Electronics провела церемонію запуску нового комплексу з розробки напівпровідників NRD-K в парку Ксін-Юн. Комплекс розробки напівпровідників NRD-K стане спільним основним центром розробки трьох підпідприємств (пам'ять, системи LSI та Foundry) підприємства Samsung Electronics DS, і до 2030 року проект отримає близько 200 трильйонів вон з інвестицій. NRD-K також буде включати спеціалізовану лінію розробки, яка буде запущена в середині 2025 року. Комплекс NRD-K введе серію передових засобів виробництва напівпровідників, включаючи світлочутливі машини ASML High NA EUV, нове обладнання для відкладання матеріалів, з метою прискорення розробки наступного покоління пам'яті, такої як 3D DRAM, V-NAND на рівні k.