Сообщается, что Samsung выпустит следующее поколение V-NAND 400+ слоев в 2026 году

Данные 10 октября по информации компании Jins начнутся 29 октября, а следующее поколение V-NAND корпорации Samsung, которое будет выпущено в 2026 году, будет иметь более 400 уровней стека, а 0a nm DRAM, который ожидается, что появится в 2027 году, будет использовать VCT-структуру. Сообщается, что 10-е поколение (т.е. следующее) V-NAND от Samsung будет называться BV (Bonding Vertical) NAND, потому что этот продукт будет настраивать структуру NAND, изменяя периферийный верхний элемент CoP на отдельные блоки хранения и периферийную схему после вертикальной связи.