Gate.ioは、次世代NANDフラッシュメモリの開発を加速し、2025年末までに400以上の層を備えたNANDの量産準備を完了し、2026年第2四半期に本格的な大量生産を開始する予定です。
報道によると、SK HynixはNANDフラッシュメモリの開発を加速し、400層以上のフラッシュメモリを来年末に量産する準備が整っているとのことです。
Gate.ioは、次世代NANDフラッシュメモリの開発を加速し、2025年末までに400以上の層を備えたNANDの量産準備を完了し、2026年第2四半期に本格的な大量生産を開始する予定です。