Le centre de développement de semi-conducteurs NRD-K de Samsung Electronics intégrera l'équipement de lithographie EUV High NA d'ASML.

Le 20 novembre, Jinshi Data a rapporté que Samsung Electronics avait organisé une cérémonie d'entrée en service pour le nouveau complexe de recherche et développement de semi-conducteurs NRD-K situé dans le parc industriel de Qi Xing. Le complexe de recherche et développement de semi-conducteurs NRD-K deviendra la base de recherche et développement centrale commune des trois grandes divisions (mémoire, système LSI et Foundry) de la division DS de Samsung Electronics. D'ici 2030, le projet recevra un investissement cumulatif d'environ 20 billions de wons. NRD-K comprendra également une ligne de production de recherche et développement, qui sera mise en service au milieu de 2025. Le complexe NRD-K introduira une série d'outils de production de semi-conducteurs les plus avancés, notamment les machines de lithographie EUV High NA d'ASML et les équipements de dépôt de nouveaux matériaux, dans le but d'accélérer le développement de la prochaine génération de puces de stockage, notamment la DRAM 3D et la V-NAND de couche k.