L'équipe de Fudan développe un processus d'intégration de mémoire flash ultrarapide : programmation ultrarapide de 20 nanosecondes, non volatile pendant 10 ans
Données de Jinshi le 13 août, l'équipe de recherche préliminaire de l'Université Fudan, dirigée par Zhou Peng-Liu Chunsen, a montré que la structure semi-conductrice bidimensionnelle peut augmenter sa vitesse de plus de mille fois, réalisant ainsi une technologie de mémoire flash ultrarapide révolutionnaire de l'ordre de la nanoseconde. Cependant, la réalisation de l'intégration à grande échelle et l'orientation vers une véritable application pratique restent extrêmement difficiles. En même temps, l'équipe de recherche a mis au point un processus d'auto-alignement ne dépendant pas d'équipements de photolithographie de pointe, combiné à une théorie de conception de champ électrique de couche ultime innovante, réussissant ainsi à réaliser un dispositif de mémoire flash ultrarapide avec une longueur de canal de 8 nanomètres, ce qui en fait le dispositif de mémoire flash à canal le plus court au monde à l'heure actuelle, dépassant la limite physique de la taille du matériau de base en silicium (environ 15 nanomètres). Avec le support de canaux à couche atomique, ce dispositif de taille extrême présente des performances de programmation ultrarapide de 20 nanosecondes, une durabilité non volatile de 10 ans, une durée de vie de 100 000 cycles et des performances de stockage polymorphes. Ce travail favorisera l'application industrialisée de la technologie révolutionnaire de mémoire flash ultrarapide.
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L'équipe de Fudan développe un processus d'intégration de mémoire flash ultrarapide : programmation ultrarapide de 20 nanosecondes, non volatile pendant 10 ans
Données de Jinshi le 13 août, l'équipe de recherche préliminaire de l'Université Fudan, dirigée par Zhou Peng-Liu Chunsen, a montré que la structure semi-conductrice bidimensionnelle peut augmenter sa vitesse de plus de mille fois, réalisant ainsi une technologie de mémoire flash ultrarapide révolutionnaire de l'ordre de la nanoseconde. Cependant, la réalisation de l'intégration à grande échelle et l'orientation vers une véritable application pratique restent extrêmement difficiles. En même temps, l'équipe de recherche a mis au point un processus d'auto-alignement ne dépendant pas d'équipements de photolithographie de pointe, combiné à une théorie de conception de champ électrique de couche ultime innovante, réussissant ainsi à réaliser un dispositif de mémoire flash ultrarapide avec une longueur de canal de 8 nanomètres, ce qui en fait le dispositif de mémoire flash à canal le plus court au monde à l'heure actuelle, dépassant la limite physique de la taille du matériau de base en silicium (environ 15 nanomètres). Avec le support de canaux à couche atomique, ce dispositif de taille extrême présente des performances de programmation ultrarapide de 20 nanosecondes, une durabilité non volatile de 10 ans, une durée de vie de 100 000 cycles et des performances de stockage polymorphes. Ce travail favorisera l'application industrialisée de la technologie révolutionnaire de mémoire flash ultrarapide.