El rendimiento del sustrato de óxido de galio VB de 4 pulgadas de RichGa alcanza el nivel avanzado internacional

Información del 20 de febrero de Jinsan: Según informes del Instituto de Investigación en Óptica y Mecánica de Precisión de Hangzhou, la empresa incubada por el Instituto, Hangzhou Fujia Gallium, ha logrado un avance significativo en el campo del crecimiento de cristales de óxido de galio por el método de puente vertical (VB), con la calidad de los cristales monocristalinos probados alcanzando un nivel avanzado internacional. Ahora están lanzando al mercado equipos y procesos de crecimiento de cristales. Los resultados de las pruebas muestran que los cristales VB de 4 pulgadas cultivados con equipos de Fujia Gallium no tienen gemelos internos, y el ancho completo a la mitad de la altura (FWHM) del sustrato monocristalino de XRD es mejor que 50arcsec, lo que es comparable a la calidad del sustrato monocristalino de óxido de galio preparado por el método de modulación, y su rendimiento alcanza un nivel avanzado internacional.