Se informa que Samsung lanzará la próxima generación de V-NAND de 400+ capas en 2026

Datos del 29 de octubre de JSJ, Samsung Electronics lanzará más de 400 capas de V-NAND en la próxima generación que se lanzará en 2026, y se espera que el 0a nm DRAM que se lanzará en 2027 utilice la estructura VCT. Según los informes, el V-NAND de la décima generación (es decir, la próxima generación) de Samsung se llamará BV (Bonding Vertical) NAND, esto se debe a que este producto ajustará la estructura NAND, cambiando de la unidad periférica CoP actual a la fabricación separada de la unidad de almacenamiento y el circuito periférico antes de la unión vertical.