📢 Gate广场 #创作者活动第一期# 火热开启,助力 PUMP 公募上线!
Solana 爆火项目 Pump.Fun($PUMP)现已登陆 Gate 平台开启公开发售!
参与 Gate广场创作者活动,释放内容力量,赢取奖励!
📅 活动时间:7月11日 18:00 - 7月15日 22:00(UTC+8)
🎁 活动总奖池:$500 USDT 等值代币奖励
✅ 活动一:创作广场贴文,赢取优质内容奖励
📅 活动时间:2025年7月12日 22:00 - 7月15日 22:00(UTC+8)
📌 参与方式:在 Gate 广场发布与 PUMP 项目相关的原创贴文
内容不少于 100 字
必须带上话题标签: #创作者活动第一期# #PumpFun#
🏆 奖励设置:
一等奖(1名):$100
二等奖(2名):$50
三等奖(10名):$10
📋 评选维度:Gate平台相关性、内容质量、互动量(点赞+评论)等综合指标;参与认购的截图的截图、经验分享优先;
✅ 活动二:发推同步传播,赢传播力奖励
📌 参与方式:在 X(推特)上发布与 PUMP 项目相关内容
内容不少于 100 字
使用标签: #PumpFun # Gate
发布后填写登记表登记回链 👉 https://www.gate.com/questionnaire/6874
🏆 奖励设置:传播影响力前 10 名用户,瓜分 $2
消息称三星下代400+层V-NAND2026年推出
金十数据10月29日讯,三星电子将于2026年推出的下代V-NAND 堆叠层数超过400,预计于2027年推出的0a nm DRAM则将采用VCT结构。报道表示三星第10代(即下代) V-NAND将被命名为BV(Bonding Vertical) NAND,这是因为这代产品将调整NAND结构,从目前的CoP外围上单元改为分别制造存储单元和外围电路后垂直键合。