消息称三星下代400+层V-NAND2026年推出

金十数据10月29日讯,三星电子将于2026年推出的下代V-NAND 堆叠层数超过400,预计于2027年推出的0a nm DRAM则将采用VCT结构。报道表示三星第10代(即下代) V-NAND将被命名为BV(Bonding Vertical) NAND,这是因为这代产品将调整NAND结构,从目前的CoP外围上单元改为分别制造存储单元和外围电路后垂直键合。

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