三星這節奏有點猛，直接瞄著英偉達標準打樣。

三星電子加速研發下一代高帶寬內存 首批HBM4E將於5月生產
三星電子正全力推進其下一代高帶寬內存（HBM）產品的研發進程，力求在高端人工智能內存市場進一步鞏固自身的優勢。據報導，三星電子計劃最早於2026年5月生產出首批符合英偉達標準的HBM4E樣品。業內人士透露，三星有著明確且緊湊的時間規劃。其目標是在下月中旬之前，讓代工部門成功生產出HBM4E核心邏輯晶片的樣品。