📢 Gate廣場 #创作者活动第一期# 火熱開啓,助力 PUMP 公募上線!
Solana 爆火項目 Pump.Fun($PUMP)現已登入 Gate 平台開啓公開發售!
參與 Gate廣場創作者活動,釋放內容力量,贏取獎勵!
📅 活動時間:7月11日 18:00 - 7月15日 22:00(UTC+8)
🎁 活動總獎池:$500 USDT 等值代幣獎勵
✅ 活動一:創作廣場貼文,贏取優質內容獎勵
📅 活動時間:2025年7月12日 22:00 - 7月15日 22:00(UTC+8)
📌 參與方式:在 Gate 廣場發布與 PUMP 項目相關的原創貼文
內容不少於 100 字
必須帶上話題標籤: #创作者活动第一期# #PumpFun#
🏆 獎勵設置:
一等獎(1名):$100
二等獎(2名):$50
三等獎(10名):$10
📋 評選維度:Gate平台相關性、內容質量、互動量(點讚+評論)等綜合指標;參與認購的截圖的截圖、經驗分享優先;
✅ 活動二:發推同步傳播,贏傳播力獎勵
📌 參與方式:在 X(推特)上發布與 PUMP 項目相關內容
內容不少於 100 字
使用標籤: #PumpFun # Gate
發布後填寫登記表登記回鏈 👉 https://www.gate.com/questionnaire/6874
🏆 獎勵設置:傳播影響力前 10 名用戶,瓜分 $2
三星電子NRD-K半導體研發綜合體進機 將導入ASML High NA EUV光刻設備
金十數據11月20日訊,三星電子舉行了位於器興園區的NRD-K新半導體研發綜合體的進機儀式。NRD-K半導體研發綜合體將成為三星電子DS部下屬三大事業部(存儲器、系統LSI和Foundry)的共同核心研發基地,到2030年這一項目將累計獲得約20萬億韓元的投資。NRD-K還將包含一條研發專用線,該產線將於2025年中投入使用。NRD-K綜合體將導入ASML High NA EUV光刻機、新材料沉積設備在內的一系列最先進半導體生產工具,旨在加速3D DRAM、千層V-NAND在內的下代存儲芯片開發。