消息稱三星下代400+層V-NAND2026年推出

金十數據10月29日訊,三星電子將於2026年推出的下代V-NAND 堆疊層數超過400,預計於2027年推出的0a nm DRAM則將採用VCT結構。報道表示三星第10代(即下代) V-NAND將被命名為BV(Bonding Vertical) NAND,這是因為這代產品將調整NAND結構,從目前的CoP外圍上單元改為分別製造存儲單元和外圍電路後垂直鍵合。

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