📢 Gate廣場 #创作者活动第一期# 火熱開啓,助力 PUMP 公募上線!
Solana 爆火項目 Pump.Fun($PUMP)現已登入 Gate 平台開啓公開發售!
參與 Gate廣場創作者活動,釋放內容力量,贏取獎勵!
📅 活動時間:7月11日 18:00 - 7月15日 22:00(UTC+8)
🎁 活動總獎池:$500 USDT 等值代幣獎勵
✅ 活動一:創作廣場貼文,贏取優質內容獎勵
📅 活動時間:2025年7月12日 22:00 - 7月15日 22:00(UTC+8)
📌 參與方式:在 Gate 廣場發布與 PUMP 項目相關的原創貼文
內容不少於 100 字
必須帶上話題標籤: #创作者活动第一期# #PumpFun#
🏆 獎勵設置:
一等獎(1名):$100
二等獎(2名):$50
三等獎(10名):$10
📋 評選維度:Gate平台相關性、內容質量、互動量(點讚+評論)等綜合指標;參與認購的截圖的截圖、經驗分享優先;
✅ 活動二:發推同步傳播,贏傳播力獎勵
📌 參與方式:在 X(推特)上發布與 PUMP 項目相關內容
內容不少於 100 字
使用標籤: #PumpFun # Gate
發布後填寫登記表登記回鏈 👉 https://www.gate.com/questionnaire/6874
🏆 獎勵設置:傳播影響力前 10 名用戶,瓜分 $2
消息稱三星下代400+層V-NAND2026年推出
金十數據10月29日訊,三星電子將於2026年推出的下代V-NAND 堆疊層數超過400,預計於2027年推出的0a nm DRAM則將採用VCT結構。報道表示三星第10代(即下代) V-NAND將被命名為BV(Bonding Vertical) NAND,這是因為這代產品將調整NAND結構,從目前的CoP外圍上單元改為分別製造存儲單元和外圍電路後垂直鍵合。