За повідомленнями, наступні 400+ ярусні V-NAND від Samsung будуть випущені у 2026 році

Компанія Samsung Electronics у 2026 році випустить наступне покоління V-NAND з більш ніж 400 шарів стекінгу, а DRAM 0a nm, який очікується в 2027 році, буде використовувати VCT-структуру. За повідомленнями, наступне, десяте покоління V-NAND буде названо BV (Bonding Vertical) NAND, оскільки воно змінить структуру NAND, замінюючи зовнішні одиниці CoP на окремі одиниці зберігання та з'єднувальні елементи, які будуть з'єднувати їх вертикально.