10月29日,Samsung Electronics'in 2026 yılında piyasaya sürmeyi planladığı sonraki nesil V-NAND yığınları 400'ün üzerinde olacak ve 2027 yılında piyasaya sürülmesi beklenen 0a nm DRAM, VCT yapısını kullanacak. Raporlara göre, Samsung'un 10. nesil (yani sonraki nesil) V-NAND'ı BV (Bonding Vertical) NAND olarak adlandırılacak çünkü bu nesil ürün, şu anda CoP dış periferindeki tek üniteyi, depolama ünitesini ve dış devreleri ayrı ayrı üreterek dikey olarak bağlayacak.
View Original
This page may contain third-party content, which is provided for information purposes only (not representations/warranties) and should not be considered as an endorsement of its views by Gate, nor as financial or professional advice. See Disclaimer for details.
Haberlere göre, Samsung'un gelecek nesil 400+ katmanlı V-NAND'ı 2026'da piyasaya sürülecek.
10月29日,Samsung Electronics'in 2026 yılında piyasaya sürmeyi planladığı sonraki nesil V-NAND yığınları 400'ün üzerinde olacak ve 2027 yılında piyasaya sürülmesi beklenen 0a nm DRAM, VCT yapısını kullanacak. Raporlara göre, Samsung'un 10. nesil (yani sonraki nesil) V-NAND'ı BV (Bonding Vertical) NAND olarak adlandırılacak çünkü bu nesil ürün, şu anda CoP dış periferindeki tek üniteyi, depolama ünitesini ve dış devreleri ayrı ayrı üreterek dikey olarak bağlayacak.