AI に聞く・ニコンはなぜ技術変革の中で重要な機会を逃したのか？最近、日本の光学大手ニコン（Nikon）は、歴史上最も深刻な赤字警告を発表した。2025年度には850億円の巨額赤字が見込まれ、1917年の設立以来、百年で最悪の記録を更新する。核心的なリソグラフィ装置事業が全線で崩壊し、かつてのリソグラフィ王者が前例のない生存危機に陥っている。複数の報道によれば、過去半年間、ニコンのリソグラフィ装置の出荷量はわずか9台であり、すべて技術的含有量が低い成熟プロセスの旧型設備であり、技術世代が明らかに遅れている。これは、かつてインテル、AMDと深く結合し、業界標準を策定した王者が、先進プロセス領域で完全に競争力を失ったことを意味する。ニコンはこのAI演算爆発の波に乗ることができず、むしろ受注の大幅な減少と在庫の滞留により、前例のない財務的泥沼に陥った。これと対照的に、2025年のオランダASMLは327台を売上げ、高級なEUV リソグラフィ装置だけで48台を出荷し、グローバル高級市場の絶対的な支配的地位を占める。時代の転換点かつてASML、キヤノンと並称された「リソグラフィ装置三大巨頭」のニコンは、2001年には世界中のリソグラフィ装置市場の約40%を占有し、世界中でほぼ2台のリソグラフィ装置に1台はニコン製だった。当時、チップ企業に追い求められたこの企業の市場占有率は現在一桁に低下し、市場競争力はほぼゼロになっている。頂上から谷底へ、ニコンの落下は一夜にして起こったものではない。その運命の転換は、グローバル・リソグラフィ装置市場の過去30年間の風雲の変化を正確に反映しており、業界に残酷な問題を投げかけている。**業界トップが一気に先を行くとき、かつての王者はどうすればいいのか？技術路線が対手に封じられたとき、後発者にはまだ形勢逆転のチャンスがあるのか？**頂上から谷底へ、ニコンの崩壊の道ニコン・リソグラフィ装置の「黄金時代」ニコンの衰退を理解するには、まずその栄光の日々に戻る必要がある。ニコンのリソグラフィ装置事業は1970年代に始まり、カメラレンズ分野の中核技術的優位性を頼りに、半導体リソグラフィ設備市場へ迅速に切り込んだ。当時、グローバル半導体産業は急速に台頭する初期段階にあり、チップ製造工程はマイクロメートル級からナノメートル級へ段階的に進んでおり、リソグラフィ設備はチップ製造における最も中核的で複雑な設備として、各大企業が争奪する焦点となった。正確な市場判断とリーディングな光学技術に頼り、ニコンは急速にリソグラフィ装置市場で足がかりを得て、1980年代に爆発的な成長を迎えた。当時、ニコンが推出した193nm波長ドライ式リソグラフィ装置は、超高い分解能と安定性に頼り、グローバル・チップ製造企業の首選設備となり、193nm ドライ式リソグラフィ時代の市場を一挙に支配した。業界データによると、1990年代中期には、ニコンのリソグラフィ装置のグローバル市場シェアは一度50%を突破し、キヤノンと市場を二分し、両社は合わせてグローバル・リソグラフィ装置市場の90%以上を占め、「日本企業二強」の独占的格局を形成した。この時期のニコンの最も中核的な競争力は、グローバルトップクラスのチップ企業との深い結合にある。当時、インテル、AMD等のアメリカチップ大手は、CPU製造工程のアップグレードを全力で推し進めており、ニコンのリソグラフィ装置は、安定した性能とリーディングな技術に頼り、これらの企業の中核サプライヤーになった。ニコンがインテル向けにカスタマイズしたリソグラフィ設備は、そのCPU生産要件に完璧にマッチし、インテルをAMDとの競争で優位に立たせるのに役立った。伝え聞くところによれば、インテル、AMD、IBM からテキサス・インスツルメンツまで、グローバル・チップ大手は、ニコンのリソグラフィ機を1台獲得するために、ニコンのシリコンバレー分部に常駐する対応チームを設置することさえいとわず、優先供給権を争ったのだ。業界では、半導体社長がニコン工場に直接赴き、調試名目を求めるために全額前払いするという悪い噂さえ流れた。この深い結合は、ニコンに安定した受注と厚い利益をもたらし、その業界地位をさらに強固にした。アメリカ大手との結合に加えて、ニコンは日本国内でも強大な顧客基盤を持っていた。ソニー、東芝、日立等の日本半導体企業は、すべてニコンの中核顧客であり、この「本土協力」の優位性は、ニコンをグローバル市場で虎の翼をつけるようにした。頂上時期には、ニコンのリソグラフィ装置は技術の標竿であるだけでなく、業界標準の制定者であり、その推出するリソグラフィ技術規範は、グローバルの大多数のチップ製造企業に採用された。ニコンの铁の騎馬の下で、アメリカのリソグラフィ装置の祖先 GCA は破産宣告を強いられた。当時のASMLも、ただヨーロッパ市場で苦しみ、市場シェアが10%未満の小ぶりな企業にすぎず、到底ニコンと同日の談ではなかった。当時、ニコンは栄光に満ちており、その輝きの程度も現在のASMLを上回っていた。リソグラフィ事業はグループの中核利益支柱になり、カメラ、望遠鏡などの他の事業共同発展をもたらし、ニコンも一度日本製造業の誇りになり、技術立国の典範と見なされた。誰もが、この業界の頂上に立つ王者が、わずか20〜30年後、このような困難な境地に陥るとは想像しなかったであろう。三つの過ちと時代の波を一歩一歩逃す転換点は2002年に起こった。その年、当時台積電シニアディレクターだった林本坚が、ニコンのドアを叩いた。当時193nm ドライ式リソグラフィ装置が瓶颈に直面し、次世代 157nm 光源の研開進展が遅い状況に対して、林本坚は破壊的な構想を提出した：レンズとウエハーの間に一層の水を注入する。水の屈折率を利用して、193nm光源の等効波長を134nmに短縮でき、これにより157nm路線の多くの難題を回避できる。これが後に半導体歴史を変える浸漬式リソグラフィ技術路線である。本来これはコストがより低く、効果がよりよい近道だったはずだが、ニコン のっぽい全高管の反対に遭った。会長から技術担当者まで、誰も林本坚の説明を丹心聴く忍耐さえ持たなかった。ニコンの代表はその場で質問した：「もし水がレンズを汚染したら、お前たち台積電が賠償できるのか？気泡が原因で大量に廃棄されたら、誰がこの責任を負うのか？」より深い原因は経路の依存性にある。当時ニコンは既に157nm ドライ式リソグラフィ装置に数億ドルを超える投入をしていた。浸漬式路線に転じることは、これまでの投入が全部水に流れることを意味した。華商韬略の報道によれば、ニコンは単に林本坚を拒否しただけでなく、自分の業界威望を利用してこの構想を抹殺しようさえした。林本坚は後に回想し、ニコンのハイレベルは台積電研開副総の蒋尚义に電話をかけ、「お前たちの林本坚をよく管理してくれ。業界の共通認識を破壊するこのような構想をあちこちで売り込ませるな。これはみんなを分心させ、資源をムダにする。」と言ったという。ニコンで足をすくわれた後、林本坚はオランダに飛んだ。当時のASMLはまだ隙間の中で生き残り、ブレークスルーのチャンスを急っていた。ASMLの技術的精神領袖マルティン・ファンデンブリンク（Martin van den Brink）は多くの異論を乗り越え、ASMLのすべてのリソースをこの狂った考えに賭けた。2004年、ASMLは台積電と協力して世界初の浸漬式リソグラフィ機ArFiを推出し、より高い精度とより低いコストに頼りグローバル市場を横なぐりにした。2007年、ASML の市場シェアは60%を超え、初めて圧倒的な態勢を形成した。2010年以降、ASML の市場シェアは70%を超え、ニコン、キヤノンは完全に拉開された。ニコンが誇りにしていた一流のレンズは、新しい技術路線の前でたちまち失色した。ニコン、キヤノンは強制的に157nm路線を放棄し、浸漬式に転じたが、既に遅すぎた。浸漬式 ArF リソグラフィ領域では、ASMLの成熟したTWINSCAN 双工作台技術に頼り、既に市場シェア90%以上をしっかり掌握していた。これは教科書的なレベルの技術誤判である。ニコンは技術能力を持たないわけではなく、自分の成功経験に束縛され、体系外の新技術に天然な排撃を持っていたのだ。しかし、**浸漬式の敗北は始まりにすぎず、ニコンの真の「ワーテルロー」はまだ後ろにある。**浸漬式リソグラフィ戦の大敗に直面して、ニコンは希望を次世代技術に託した：EUV（極紫外线リソグラフィ）。この波長がより短い（13.5nm）、チップ上によりミクロな回路を彫刻できる技術は、頂上返還の重要な決戦と見なされた。当時ニコンのリソグラフィ装置技術責任者だった馬立稔和は、雄心壮志を示した：全自研、全日本産。彼は閉ざされた壁の中で、精密製造が世界を征服したあの時代を再複製しようとした。同時に、既にチップ覇者の地位を失った日本政府も全力で支持し、国家の運命の戦いと見なした。経済産業省を中核に、日本は庞大な「産官学」連合体を構築し、数百億円の資金を投じ、ニコン、キヤノン、東京電子、信越化学等の産業チェーン企業と連合して、共同で難関を攻略した。これは典型的な日本式強襲である：資源集中、目標ユニ一。しかし、この時、世界は既に変わっていた。ニコンが全力でEUVプロジェクトを展開していた2012年、ASMLはインテル、サムスン、台積電からの初回大規模なストラテジック投資を受け取った。三つの大顧客が共同出資し、ASMLが EUV 開発を加速させるのを助け、同時に自分たちのEUV連盟を構築した。この連盟は世界トップクラスのチップ製造企業を結合しただけでなく、ドイツのカール・ツァイス（レンズ）、アメリカのCymer（光源）等グローバル最強の産業チェーン企業を集結させた。この「垂直協力」モデルはASML が システム統合と中核技術的突破に資源を集中することを可能にし、面面俱到ではない。これはニコンの失敗の深層な原因の一つでもある。長期にわたり、日本企業は全自研の生産モデルを信じ、中核部品（レンズ、光源、精密機械）は高度な自研を選択した。この「垂直統合」は技術反復が遅い時代に極限の品質を保証できたが、EUVのような全機世界的な協力が必要な業界であり、研開経費は百億米ドルを動くし、10万個の部品を含む「人類工業の頂上」に到来したとき、ニコンは発見した。既に入場券を支払う力を失っていた。一方、ASML の「利益結合、リスク共担」の選択は、それを全く違う道に向わせた。さらに悔しいことに、かつてチップでニッポンに大きな損をした米国は、国家安全保障を理由に、ニコン、キヤノン等の日系メーカーをEUV技術連盟から排除し、米国トップレベルの技術を獲得するチャネルを遮断した。ここに至って、ニコンの「全自研」は「門戸を閉ざし自動車を作る」に変わった。2018年末の時点で、ニコンのEUVプロジェクトへの投資推算は千億円を超え、会社歴史上最大単一技術賭博といえる。だがこの投入が得たのは、商用できない原型機だけだった。ASMLのEUV リソグラフィ装置が既に台積電の産業ラインで狂った反復を行っていたとき、ニコンの原型機は依然として実験室で埃を被ったままだった。台積電が2018年に7nm製造工程量産を宣言したとき、ASMLはEUVに頼りグローバル90%の高級リソグラフィ機受注を独占し、代替品のない技術覇権を形成した。結局、ニコン会社は宣告を余儀なくされた：EUVリソグラフィ装置の商用化開発を中止する。技術路線の連続誤判を除き、ニコンは市場戦略においても致命的な誤りを犯した。それは単一の巨头インテルに過度に賭けたことだ。2024年、インテルが巨額赤字のため資本支出を大幅削減し、直接ニコンの受注が暴騰した。同時に、ニコンが台積電、サムスン等の中核チップ企業への拡張に未だ及ばず、受注ギャップを補う方法がなかった。外部政策環境はさらに悪化を加える。「過去5年、中国がニコンの最大の救命の草であった。大陸ウェーハ工場の拡産に伴い、ニコン精密設備の中国向け販売比率は一度40%を超えた。しかし、米国を中国に対する半導体設備出口制限を実施ときに、ニコンは米国の歩に密着することを選択し、協力の機会を放棄し、ニコン装置の引き渡し遅れ、コスト飙升をもたらし、中国顧客は続々と国産代替に転じ、その生存空間をさらに圧縮した。「日経アジア」はこれに言及し、中国は既にグローバル第3個としてリソグラフィ装置製造の完全な能力を持つ国であり、ニコンが再び高価旧型設備で分け前を求めたいなら、既に良い状態を逃していると指摘した。2025年9月、ニコンは58年の運営歴を持つ横浜工場を閉鎖し、そのリソグラフィ装置事業のさらなる収縮を象徴している。一方、70歳の馬立稔和も間もなく卸任しようとしている。技術担当者から権力の頂上まで一路歩んできたこのバイテク長老は、一己の力で昔の栄光を挽回しようとしたが、結局力不足だった。ASML：「守成」から「進攻」へニコンが一歩ずつ崩壊へ向かう同時に、ASMLは業界追従者から、グローバル・リソグラフィ装置市場の絶対的な覇主へと成長した。高級リソグラフィ装置領域。ASML の独占的地位は誰にも及ばない。特にEUV リソグラフィ市場では、ASMLは唯一独大で、7nm及びそれ以下の先進工程チップ製造の「咽喉」を掌握し、台積電、サムスン、インテルであれ、すべてASMLのEUV リソグラフィ装置に依存している。統計によれば、ASMLのEUVリソグラフィ装置市場シェアは100%に達し、高級DUVリソグラフィ装置市場シェアも90%以上に達し、堅実な技術壁垒と市場護城河を形成した。これが「現金牛」と独占の根拠を構成する。だが**ASMLはここで止まらなかった。**半導体集積度が物理的極限に近づくにつれ、単にトランジスタの微小化に頼ってチップ性能を向上させるコストはますます高くなり、難度もますます大きくなっている。産業界は目を別の方向に向けた：先進パッケージング。チップ製造工程が物理的な極限にますます接近するにつれ、先進パッケージング技術はチップ性能向上の重要な路線になった。これは正にエヌビディアのH100/B200等のAIチップが頼りにする中核技術――台積電 CoWoS、InFO等パッケージング技術の重要性がここに突き出た。**ASML は敏锐に認識した：「前道製造」の管理だけでは、将来を主導するのに不十分かもしれない。**もし先進パッケージング装置領域で優位を占めることができれば、「前道製造」から「後道パッケージング」に延伸でき、チップ製造全フローの掌握を実現し、自分の市場シェア、業界覇権をさらに拡大できる。こうして、ASMLは「進攻」に転じ、先進パッケージング装置領域への布局と探索を開始した。正に言える通り、**対手がまだ泥沼にあるとき、勝者は既に新戦場の定義を始めた。**2025年10月、ASMLは実質的な一步を踏子し、初回先進パッケージング リソグラフィ機 TWINSCAN XT:260を推出し、正式に先進パッケージング市場に進出した。この装置は365nm i線光源を採用し、400nm分解能パターン化を実現し、主にRDL、TSV等重要工序に用いる。そのレジストレーション精度は±1.2nm に達し、前代比52%向上し、生産効率は毎時間270枚のウェーハに達し、前代比4倍向上している。TWINSCAN XT:260の推出は、ASMLが正式に先進パッケージング装置市場に進出したことを標志し、光刻装置領域に蓄積した技術優位性とブランド影響力に頼り、迅速に市場の認可を得た。業界情報によれば、台積電、サムスン等の中核顧客は既に相次いでASMLの先進パッケージング リソグラフィ機を下注し、その Chiplet 技術の研開と量産に用いている。だがこれはおそらく始まりにすぎない。近日、業界関係者情報によれば、ASMLは既にハイブリッド・ボンディング機台の研開に着手し、EUV リソグラフィ機磁気浮上システムコンポーネント供給企業Prodrive、VDL-ETG等協力パートナーと共同推進している。ハイブリッド・ボンディングは次世代3D統合の中核技術であり、銅対銅の直結ボンディングを実現でき、突起を除去し、大幅に相互接続密度を向上させられる。能看到、**ASMLは光刻装置の技術壁垒――精確な対齢、高精度の運動制御――を後道装置に複製し、元々Besi、応用材料等装置メーカーに属するケーキを奪取しようとしている。**ASML最高技術責任者Marco Pietersは以前公開で表記した、会社は絶えず半导体産業の長期発展趋势を研判し、パッケージング、ボンディング等領域に必要な装置基座研开に重点を置き、関連業務布局の準備を行うと。ASMLの出撃は明確な信号を釈放する：装置巨头間の戦争は、単一工序の競争から、チップ製造フロー全体への連鎖競争へ進化した。誰が前道から後道までのシステム級ソリューションを提供できるのか、誰が下一轮産業洗牌の中でより大きな話語権を掌握できるのか。キヤノン：一隅に安居し、隙間の中で「奇点」を探索ニコンの崩壊、ASMLの覇権という格局の下で、キヤノンは第3の路を選択した。三巨頭の一つとして、キヤノンも EUV 時代を逃した。だが尼康ほど高端市場で硬く衝突することはなかった。**キヤノンは透徹に理解している。波長競争ではASMLに追いつくことはできず、むしろ実務的に転身し、差別化生存に集焦する。**一方面では、キヤノンは成熟製造工程 リソグラフィ装置に専投する。光学領域の蓄積に頼り、キヤノンはコスト効能比の高い製品を提供し、i-line、KrF等成熟製造工程市場のこの基本盤をしっかり保守し、二三線ウェーハ工場の中で極高い忠誠度を持つ。技術階級はASMLのEUVとArFi装置より低いが、キヤノンがニッチ市場をしっかり保守し、パワーデバイス、センサ、ディスプレイドライバ、先進パッケージング等成熟製造工程領域で気分よく生きている。一方面では、**キヤノン は前進める新しい探索を行っている：ナノインプリント（NIL）。**この技術の原理は光学光刻と全く異なり、NILは複雑な光学システムを使ってパターンをウェーハに投影するのではなく、スタンプのように、電子回路パターンを持つテンプレートをウェーハの光刻ゲル上に直接プレスし、紫外線で固化させる。理論上、ナノインプリントの優位性は明らかだ：分解能はEUVと同等あるいはそれ以上に達し、コストはEUVシステムの10分の1にすぎず、単片製造工程コストはEUVの4分の1；電力消費はさらに90%以上低下する――EUVの全機電力は1メガワットに達しうるが、NILはわずか約100キロワット。キヤノンは2014年にナノインプリント会社Molecular Imprints Inc.を買収した。自有技術ブランドJ-FILを推出した。2023年10月、キヤノンは正式にFPA-1200NZ2C ナノインプリント・リソグラフィ・システムを推出し、5nmチップ製造に用いることができると宣称し、将来は2nmまで下降できることもあり得る。SK海力士は既にキヤノンからナノインプリント装置を導入し、3D NAND フラッシュメモリ量産に用いる計画である。これはEUVシステムを完全に迂回する方法であり、ナノインプリントが缺陥率交容度がより高い記憶チップ領域で率先して大規模量産を実現できれば、**キヤノンはゲームルール全体を直接書き直すことができるかもしれない。**だが、ナノインプリントの商用之路は依然として棘に満ちている。テンプレート寿命と缺陥管理はこの技術が直面している二大中核難題である。テンプレートが直接ウェーハと接触するため、その上のナノ级の構造は極めて脆弱だ。現在量産テストの表示では、テンプレート寿命はわずか約50枚のウェーハをプレスすることをサポートでき、光学マスクの10万枚级寿命に及ばない。キヤノンは新しいデザインが10倍延長できると宣称したが、業界実測依然理想的ではない。さらに致命的なのは缺陥複製問題である：テンプレート上の微小な缺陥も全ウェーハに複製され、重大な重複缺陥をもたらす。一方、テンプレート缺
光刻機大手、突然「倒壊」
AI に聞く・ニコンはなぜ技術変革の中で重要な機会を逃したのか？
最近、日本の光学大手ニコン（Nikon）は、歴史上最も深刻な赤字警告を発表した。2025年度には850億円の巨額赤字が見込まれ、1917年の設立以来、百年で最悪の記録を更新する。
核心的なリソグラフィ装置事業が全線で崩壊し、かつてのリソグラフィ王者が前例のない生存危機に陥っている。
複数の報道によれば、過去半年間、ニコンのリソグラフィ装置の出荷量はわずか9台であり、すべて技術的含有量が低い成熟プロセスの旧型設備であり、技術世代が明らかに遅れている。
これは、かつてインテル、AMDと深く結合し、業界標準を策定した王者が、先進プロセス領域で完全に競争力を失ったことを意味する。ニコンはこのAI演算爆発の波に乗ることができず、むしろ受注の大幅な減少と在庫の滞留により、前例のない財務的泥沼に陥った。
これと対照的に、2025年のオランダASMLは327台を売上げ、高級なEUV リソグラフィ装置だけで48台を出荷し、グローバル高級市場の絶対的な支配的地位を占める。
時代の転換点
かつてASML、キヤノンと並称された「リソグラフィ装置三大巨頭」のニコンは、2001年には世界中のリソグラフィ装置市場の約40%を占有し、世界中でほぼ2台のリソグラフィ装置に1台はニコン製だった。当時、チップ企業に追い求められたこの企業の市場占有率は現在一桁に低下し、市場競争力はほぼゼロになっている。
頂上から谷底へ、ニコンの落下は一夜にして起こったものではない。その運命の転換は、グローバル・リソグラフィ装置市場の過去30年間の風雲の変化を正確に反映しており、業界に残酷な問題を投げかけている。業界トップが一気に先を行くとき、かつての王者はどうすればいいのか？技術路線が対手に封じられたとき、後発者にはまだ形勢逆転のチャンスがあるのか？
頂上から谷底へ、ニコンの崩壊の道
ニコン・リソグラフィ装置の「黄金時代」
ニコンの衰退を理解するには、まずその栄光の日々に戻る必要がある。
ニコンのリソグラフィ装置事業は1970年代に始まり、カメラレンズ分野の中核技術的優位性を頼りに、半導体リソグラフィ設備市場へ迅速に切り込んだ。
当時、グローバル半導体産業は急速に台頭する初期段階にあり、チップ製造工程はマイクロメートル級からナノメートル級へ段階的に進んでおり、リソグラフィ設備はチップ製造における最も中核的で複雑な設備として、各大企業が争奪する焦点となった。
正確な市場判断とリーディングな光学技術に頼り、ニコンは急速にリソグラフィ装置市場で足がかりを得て、1980年代に爆発的な成長を迎えた。
当時、ニコンが推出した193nm波長ドライ式リソグラフィ装置は、超高い分解能と安定性に頼り、グローバル・チップ製造企業の首選設備となり、193nm ドライ式リソグラフィ時代の市場を一挙に支配した。
業界データによると、1990年代中期には、ニコンのリソグラフィ装置のグローバル市場シェアは一度50%を突破し、キヤノンと市場を二分し、両社は合わせてグローバル・リソグラフィ装置市場の90%以上を占め、「日本企業二強」の独占的格局を形成した。
この時期のニコンの最も中核的な競争力は、グローバルトップクラスのチップ企業との深い結合にある。
当時、インテル、AMD等のアメリカチップ大手は、CPU製造工程のアップグレードを全力で推し進めており、ニコンのリソグラフィ装置は、安定した性能とリーディングな技術に頼り、これらの企業の中核サプライヤーになった。ニコンがインテル向けにカスタマイズしたリソグラフィ設備は、そのCPU生産要件に完璧にマッチし、インテルをAMDとの競争で優位に立たせるのに役立った。
伝え聞くところによれば、インテル、AMD、IBM からテキサス・インスツルメンツまで、グローバル・チップ大手は、ニコンのリソグラフィ機を1台獲得するために、ニコンのシリコンバレー分部に常駐する対応チームを設置することさえいとわず、優先供給権を争ったのだ。業界では、半導体社長がニコン工場に直接赴き、調試名目を求めるために全額前払いするという悪い噂さえ流れた。この深い結合は、ニコンに安定した受注と厚い利益をもたらし、その業界地位をさらに強固にした。
アメリカ大手との結合に加えて、ニコンは日本国内でも強大な顧客基盤を持っていた。ソニー、東芝、日立等の日本半導体企業は、すべてニコンの中核顧客であり、この「本土協力」の優位性は、ニコンをグローバル市場で虎の翼をつけるようにした。
頂上時期には、ニコンのリソグラフィ装置は技術の標竿であるだけでなく、業界標準の制定者であり、その推出するリソグラフィ技術規範は、グローバルの大多数のチップ製造企業に採用された。
ニコンの铁の騎馬の下で、アメリカのリソグラフィ装置の祖先 GCA は破産宣告を強いられた。当時のASMLも、ただヨーロッパ市場で苦しみ、市場シェアが10%未満の小ぶりな企業にすぎず、到底ニコンと同日の談ではなかった。
当時、ニコンは栄光に満ちており、その輝きの程度も現在のASMLを上回っていた。
リソグラフィ事業はグループの中核利益支柱になり、カメラ、望遠鏡などの他の事業共同発展をもたらし、ニコンも一度日本製造業の誇りになり、技術立国の典範と見なされた。
誰もが、この業界の頂上に立つ王者が、わずか20〜30年後、このような困難な境地に陥るとは想像しなかったであろう。
三つの過ちと時代の波を一歩一歩逃す
転換点は2002年に起こった。
その年、当時台積電シニアディレクターだった林本坚が、ニコンのドアを叩いた。当時193nm ドライ式リソグラフィ装置が瓶颈に直面し、次世代 157nm 光源の研開進展が遅い状況に対して、林本坚は破壊的な構想を提出した：レンズとウエハーの間に一層の水を注入する。水の屈折率を利用して、193nm光源の等効波長を134nmに短縮でき、これにより157nm路線の多くの難題を回避できる。
これが後に半導体歴史を変える浸漬式リソグラフィ技術路線である。
本来これはコストがより低く、効果がよりよい近道だったはずだが、ニコン のっぽい全高管の反対に遭った。会長から技術担当者まで、誰も林本坚の説明を丹心聴く忍耐さえ持たなかった。ニコンの代表はその場で質問した：「もし水がレンズを汚染したら、お前たち台積電が賠償できるのか？気泡が原因で大量に廃棄されたら、誰がこの責任を負うのか？」
より深い原因は経路の依存性にある。当時ニコンは既に157nm ドライ式リソグラフィ装置に数億ドルを超える投入をしていた。浸漬式路線に転じることは、これまでの投入が全部水に流れることを意味した。
華商韬略の報道によれば、ニコンは単に林本坚を拒否しただけでなく、自分の業界威望を利用してこの構想を抹殺しようさえした。林本坚は後に回想し、ニコンのハイレベルは台積電研開副総の蒋尚义に電話をかけ、「お前たちの林本坚をよく管理してくれ。業界の共通認識を破壊するこのような構想をあちこちで売り込ませるな。これはみんなを分心させ、資源をムダにする。」と言ったという。
ニコンで足をすくわれた後、林本坚はオランダに飛んだ。
当時のASMLはまだ隙間の中で生き残り、ブレークスルーのチャンスを急っていた。ASMLの技術的精神領袖マルティン・ファンデンブリンク（Martin van den Brink）は多くの異論を乗り越え、ASMLのすべてのリソースをこの狂った考えに賭けた。
2004年、ASMLは台積電と協力して世界初の浸漬式リソグラフィ機ArFiを推出し、より高い精度とより低いコストに頼りグローバル市場を横なぐりにした。
2007年、ASML の市場シェアは60%を超え、初めて圧倒的な態勢を形成した。2010年以降、ASML の市場シェアは70%を超え、ニコン、キヤノンは完全に拉開された。
ニコンが誇りにしていた一流のレンズは、新しい技術路線の前でたちまち失色した。ニコン、キヤノンは強制的に157nm路線を放棄し、浸漬式に転じたが、既に遅すぎた。浸漬式 ArF リソグラフィ領域では、ASMLの成熟したTWINSCAN 双工作台技術に頼り、既に市場シェア90%以上をしっかり掌握していた。
これは教科書的なレベルの技術誤判である。ニコンは技術能力を持たないわけではなく、自分の成功経験に束縛され、体系外の新技術に天然な排撃を持っていたのだ。
しかし、浸漬式の敗北は始まりにすぎず、ニコンの真の「ワーテルロー」はまだ後ろにある。
浸漬式リソグラフィ戦の大敗に直面して、ニコンは希望を次世代技術に託した：EUV（極紫外线リソグラフィ）。この波長がより短い（13.5nm）、チップ上によりミクロな回路を彫刻できる技術は、頂上返還の重要な決戦と見なされた。
当時ニコンのリソグラフィ装置技術責任者だった馬立稔和は、雄心壮志を示した：全自研、全日本産。彼は閉ざされた壁の中で、精密製造が世界を征服したあの時代を再複製しようとした。
同時に、既にチップ覇者の地位を失った日本政府も全力で支持し、国家の運命の戦いと見なした。経済産業省を中核に、日本は庞大な「産官学」連合体を構築し、数百億円の資金を投じ、ニコン、キヤノン、東京電子、信越化学等の産業チェーン企業と連合して、共同で難関を攻略した。
これは典型的な日本式強襲である：資源集中、目標ユニ一。
しかし、この時、世界は既に変わっていた。
ニコンが全力でEUVプロジェクトを展開していた2012年、ASMLはインテル、サムスン、台積電からの初回大規模なストラテジック投資を受け取った。三つの大顧客が共同出資し、ASMLが EUV 開発を加速させるのを助け、同時に自分たちのEUV連盟を構築した。この連盟は世界トップクラスのチップ製造企業を結合しただけでなく、ドイツのカール・ツァイス（レンズ）、アメリカのCymer（光源）等グローバル最強の産業チェーン企業を集結させた。
この「垂直協力」モデルはASML が システム統合と中核技術的突破に資源を集中することを可能にし、面面俱到ではない。
これはニコンの失敗の深層な原因の一つでもある。
長期にわたり、日本企業は全自研の生産モデルを信じ、中核部品（レンズ、光源、精密機械）は高度な自研を選択した。この「垂直統合」は技術反復が遅い時代に極限の品質を保証できたが、EUVのような全機世界的な協力が必要な業界であり、研開経費は百億米ドルを動くし、10万個の部品を含む「人類工業の頂上」に到来したとき、ニコンは発見した。既に入場券を支払う力を失っていた。一方、ASML の「利益結合、リスク共担」の選択は、それを全く違う道に向わせた。
さらに悔しいことに、かつてチップでニッポンに大きな損をした米国は、国家安全保障を理由に、ニコン、キヤノン等の日系メーカーをEUV技術連盟から排除し、米国トップレベルの技術を獲得するチャネルを遮断した。
ここに至って、ニコンの「全自研」は「門戸を閉ざし自動車を作る」に変わった。
2018年末の時点で、ニコンのEUVプロジェクトへの投資推算は千億円を超え、会社歴史上最大単一技術賭博といえる。だがこの投入が得たのは、商用できない原型機だけだった。ASMLのEUV リソグラフィ装置が既に台積電の産業ラインで狂った反復を行っていたとき、ニコンの原型機は依然として実験室で埃を被ったままだった。
台積電が2018年に7nm製造工程量産を宣言したとき、ASMLはEUVに頼りグローバル90%の高級リソグラフィ機受注を独占し、代替品のない技術覇権を形成した。
結局、ニコン会社は宣告を余儀なくされた：EUVリソグラフィ装置の商用化開発を中止する。
技術路線の連続誤判を除き、ニコンは市場戦略においても致命的な誤りを犯した。それは単一の巨头インテルに過度に賭けたことだ。2024年、インテルが巨額赤字のため資本支出を大幅削減し、直接ニコンの受注が暴騰した。同時に、ニコンが台積電、サムスン等の中核チップ企業への拡張に未だ及ばず、受注ギャップを補う方法がなかった。
外部政策環境はさらに悪化を加える。「過去5年、中国がニコンの最大の救命の草であった。大陸ウェーハ工場の拡産に伴い、ニコン精密設備の中国向け販売比率は一度40%を超えた。
しかし、米国を中国に対する半導体設備出口制限を実施ときに、ニコンは米国の歩に密着することを選択し、協力の機会を放棄し、ニコン装置の引き渡し遅れ、コスト飙升をもたらし、中国顧客は続々と国産代替に転じ、その生存空間をさらに圧縮した。「日経アジア」はこれに言及し、中国は既にグローバル第3個としてリソグラフィ装置製造の完全な能力を持つ国であり、ニコンが再び高価旧型設備で分け前を求めたいなら、既に良い状態を逃していると指摘した。
2025年9月、ニコンは58年の運営歴を持つ横浜工場を閉鎖し、そのリソグラフィ装置事業のさらなる収縮を象徴している。一方、70歳の馬立稔和も間もなく卸任しようとしている。技術担当者から権力の頂上まで一路歩んできたこのバイテク長老は、一己の力で昔の栄光を挽回しようとしたが、結局力不足だった。
ASML：「守成」から「進攻」へ
ニコンが一歩ずつ崩壊へ向かう同時に、ASMLは業界追従者から、グローバル・リソグラフィ装置市場の絶対的な覇主へと成長した。
高級リソグラフィ装置領域。ASML の独占的地位は誰にも及ばない。特にEUV リソグラフィ市場では、ASMLは唯一独大で、7nm及びそれ以下の先進工程チップ製造の「咽喉」を掌握し、台積電、サムスン、インテルであれ、すべてASMLのEUV リソグラフィ装置に依存している。
統計によれば、ASMLのEUVリソグラフィ装置市場シェアは100%に達し、高級DUVリソグラフィ装置市場シェアも90%以上に達し、堅実な技術壁垒と市場護城河を形成した。これが「現金牛」と独占の根拠を構成する。
だがASMLはここで止まらなかった。
半導体集積度が物理的極限に近づくにつれ、単にトランジスタの微小化に頼ってチップ性能を向上させるコストはますます高くなり、難度もますます大きくなっている。産業界は目を別の方向に向けた：先進パッケージング。
チップ製造工程が物理的な極限にますます接近するにつれ、先進パッケージング技術はチップ性能向上の重要な路線になった。これは正にエヌビディアのH100/B200等のAIチップが頼りにする中核技術――台積電 CoWoS、InFO等パッケージング技術の重要性がここに突き出た。
**ASML は敏锐に認識した：「前道製造」の管理だけでは、将来を主導するのに不十分かもしれない。**もし先進パッケージング装置領域で優位を占めることができれば、「前道製造」から「後道パッケージング」に延伸でき、チップ製造全フローの掌握を実現し、自分の市場シェア、業界覇権をさらに拡大できる。
こうして、ASMLは「進攻」に転じ、先進パッケージング装置領域への布局と探索を開始した。
正に言える通り、対手がまだ泥沼にあるとき、勝者は既に新戦場の定義を始めた。
2025年10月、ASMLは実質的な一步を踏子し、初回先進パッケージング リソグラフィ機 TWINSCAN XT:260を推出し、正式に先進パッケージング市場に進出した。
この装置は365nm i線光源を採用し、400nm分解能パターン化を実現し、主にRDL、TSV等重要工序に用いる。そのレジストレーション精度は±1.2nm に達し、前代比52%向上し、生産効率は毎時間270枚のウェーハに達し、前代比4倍向上している。
TWINSCAN XT:260の推出は、ASMLが正式に先進パッケージング装置市場に進出したことを標志し、光刻装置領域に蓄積した技術優位性とブランド影響力に頼り、迅速に市場の認可を得た。業界情報によれば、台積電、サムスン等の中核顧客は既に相次いでASMLの先進パッケージング リソグラフィ機を下注し、その Chiplet 技術の研開と量産に用いている。
だがこれはおそらく始まりにすぎない。
近日、業界関係者情報によれば、ASMLは既にハイブリッド・ボンディング機台の研開に着手し、EUV リソグラフィ機磁気浮上システムコンポーネント供給企業Prodrive、VDL-ETG等協力パートナーと共同推進している。ハイブリッド・ボンディングは次世代3D統合の中核技術であり、銅対銅の直結ボンディングを実現でき、突起を除去し、大幅に相互接続密度を向上させられる。
能看到、ASMLは光刻装置の技術壁垒――精確な対齢、高精度の運動制御――を後道装置に複製し、元々Besi、応用材料等装置メーカーに属するケーキを奪取しようとしている。
ASML最高技術責任者Marco Pietersは以前公開で表記した、会社は絶えず半导体産業の長期発展趋势を研判し、パッケージング、ボンディング等領域に必要な装置基座研开に重点を置き、関連業務布局の準備を行うと。
ASMLの出撃は明確な信号を釈放する：装置巨头間の戦争は、単一工序の競争から、チップ製造フロー全体への連鎖競争へ進化した。誰が前道から後道までのシステム級ソリューションを提供できるのか、誰が下一轮産業洗牌の中でより大きな話語権を掌握できるのか。
キヤノン：
一隅に安居し、隙間の中で「奇点」を探索
ニコンの崩壊、ASMLの覇権という格局の下で、キヤノンは第3の路を選択した。
三巨頭の一つとして、キヤノンも EUV 時代を逃した。だが尼康ほど高端市場で硬く衝突することはなかった。キヤノンは透徹に理解している。波長競争ではASMLに追いつくことはできず、むしろ実務的に転身し、差別化生存に集焦する。
一方面では、キヤノンは成熟製造工程 リソグラフィ装置に専投する。光学領域の蓄積に頼り、キヤノンはコスト効能比の高い製品を提供し、i-line、KrF等成熟製造工程市場のこの基本盤をしっかり保守し、二三線ウェーハ工場の中で極高い忠誠度を持つ。技術階級はASMLのEUVとArFi装置より低いが、キヤノンがニッチ市場をしっかり保守し、パワーデバイス、センサ、ディスプレイドライバ、先進パッケージング等成熟製造工程領域で気分よく生きている。
一方面では、キヤノン は前進める新しい探索を行っている：ナノインプリント（NIL）。
この技術の原理は光学光刻と全く異なり、NILは複雑な光学システムを使ってパターンをウェーハに投影するのではなく、スタンプのように、電子回路パターンを持つテンプレートをウェーハの光刻ゲル上に直接プレスし、紫外線で固化させる。
理論上、ナノインプリントの優位性は明らかだ：分解能はEUVと同等あるいはそれ以上に達し、コストはEUVシステムの10分の1にすぎず、単片製造工程コストはEUVの4分の1；電力消費はさらに90%以上低下する――EUVの全機電力は1メガワットに達しうるが、NILはわずか約100キロワット。
キヤノンは2014年にナノインプリント会社Molecular Imprints Inc.を買収した。自有技術ブランドJ-FILを推出した。2023年10月、キヤノンは正式にFPA-1200NZ2C ナノインプリント・リソグラフィ・システムを推出し、5nmチップ製造に用いることができると宣称し、将来は2nmまで下降できることもあり得る。SK海力士は既にキヤノンからナノインプリント装置を導入し、3D NAND フラッシュメモリ量産に用いる計画である。
これはEUVシステムを完全に迂回する方法であり、ナノインプリントが缺陥率交容度がより高い記憶チップ領域で率先して大規模量産を実現できれば、キヤノンはゲームルール全体を直接書き直すことができるかもしれない。
だが、ナノインプリントの商用之路は依然として棘に満ちている。テンプレート寿命と缺陥管理はこの技術が直面している二大中核難題である。
テンプレートが直接ウェーハと接触するため、その上のナノ级の構造は極めて脆弱だ。現在量産テストの表示では、テンプレート寿命はわずか約50枚のウェーハをプレスすることをサポートでき、光学マスクの10万枚级寿命に及ばない。キヤノンは新しいデザインが10倍延長できると宣称したが、業界実測依然理想的ではない。
さらに致命的なのは缺陥複製問題である：テンプレート上の微小な缺陥も全ウェーハに複製され、重大な重複缺陥をもたらす。一方、テンプレート缺